K4Z80325BC-HC12 - 8 Gb 256M x 32 12.0 Gbps 16K / 32 ms 180FBGA Mass Production
codice articolo del costruttore
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fabbricante
Breve descrizione
8 Gb 256M x 32 12.0 Gbps 16K / 32 ms 180FBGA Mass Production
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per K4Z80325BC-HC12
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
K4Z80325BC-HC12
fabbricante :
Samsung Semiconductor
Descrizione :
8 Gb 256M x 32 12.0 Gbps 16K / 32 ms 180FBGA Mass Production
Serie :
DDR3
Densità :
8 Gb
Org. :
256M x 32
Velocità :
12.0 Gbps
ricaricare :
16K / 32 ms
Pacchetto :
180FBGA
Stato prodotto :
Mass Production
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per K4Z80325BC-HC12
Schede tecniche :
K4Z80325BC-HC12.pdf
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