K4Z80325BC-HC12 - 8 Gb 256M x 32 12.0 Gbps 16K / 32 ms 180FBGA Mass Production

codice articolo del costruttore

K4Z80325BC-HC12

Numero parte interna

AX-K4Z80325BC-HC12

fabbricante

Samsung Semiconductor

Breve descrizione

8 Gb 256M x 32 12.0 Gbps 16K / 32 ms 180FBGA Mass Production

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

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Specifiche per K4Z80325BC-HC12

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : K4Z80325BC-HC12

fabbricante : Samsung Semiconductor

Descrizione : 8 Gb 256M x 32 12.0 Gbps 16K / 32 ms 180FBGA Mass Production

Serie : DDR3

Densità : 8 Gb

Org. : 256M x 32

Velocità : 12.0 Gbps

ricaricare : 16K / 32 ms

Pacchetto : 180FBGA

Stato prodotto : Mass Production

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : K4Z80 , K4Z8032

Documenti per K4Z80325BC-HC12

Schede tecniche : K4Z80325BC-HC12.pdf

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