IXFT60N65X2HV - MOSFET N-CH

codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
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Specifiche per IXFT60N65X2HV

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : IXFT60N65X2HV
fabbricante : IXYS
Descrizione : MOSFET N-CH
Serie : HiPerFET™
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 60A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 52 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 108nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 6300pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 780W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : TO-268HV
Pacchetto / caso : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : IXFT , IXFT60

Documenti per IXFT60N65X2HV

Schede tecniche : IXFT60N65X2HV.pdf

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