IRFHM830DTRPBF - MOSFET N-CH 30V 20A PQFN
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 30V 20A PQFN
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
10808 Pieces
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Specifiche per IRFHM830DTRPBF
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : IRFHM830DTRPBF
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : MOSFET N-CH 30V 20A PQFN
Serie : HEXFET®
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 20A (Ta), 40A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.35V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 27nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1797pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 2.8W (Ta), 37W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : PQFN (3x3)
Pacchetto / caso : 8-VQFN Exposed Pad
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per IRFHM830DTRPBF
Schede tecniche : IRFHM830DTRPBF.pdf
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