SQP100P06-9M3L_GE3 - MOSFET P-CH 60V 100A TO220AB

codice articolo del costruttore

SQP100P06-9M3L_GE3

Numero parte interna

AX-SQP100P06-9M3L_GE3

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET P-CH 60V 100A TO220AB

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

240065 Pieces

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Specifiche per SQP100P06-9M3L_GE3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SQP100P06-9M3L_GE3

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET P-CH 60V 100A TO220AB

Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Stato parte : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 100A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.3 mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 300nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 12010pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 187W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-220AB

Pacchetto / caso : TO-220-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SQP100 , SQP100P06

Documenti per SQP100P06-9M3L_GE3

Schede tecniche : SQP100P06-9M3L_GE3.pdf

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