DMN2450UFB4-7B - MOSFET BVDSS 8V-24V X2-DFN1006-

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fabbricante
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MOSFET BVDSS 8V-24V X2-DFN1006-
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per DMN2450UFB4-7B

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : DMN2450UFB4-7B
fabbricante : Diodes Incorporated
Descrizione : MOSFET BVDSS 8V-24V X2-DFN1006-
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 1A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 400 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 1.3nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 56pF @ 16V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 500mW (Ta)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : X2-DFN1006-3
Pacchetto / caso : 3-XFDFN
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : DMN2 , DMN2450

Documenti per DMN2450UFB4-7B

Schede tecniche : DMN2450UFB4-7B.pdf

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