AOWF25S65 - MOSFET N-CH 650V 25A TO262F
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-AOWF25S65
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 650V 25A TO262F
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
233055 Pieces
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Specifiche per AOWF25S65
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : AOWF25S65
fabbricante : Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Descrizione : MOSFET N-CH 650V 25A TO262F
Serie : aMOS™
Stato parte : Not For New Designs
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 25A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 26.4nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1278pF @ 100V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 28W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore : -
Pacchetto / caso : TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per AOWF25S65
Schede tecniche : AOWF25S65.pdf
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