SIHH100N60E-T1-GE3 - MOSFET E SERIES 600V POWERPAK 8X

codice articolo del costruttore

SIHH100N60E-T1-GE3

Numero parte interna

AX-SIHH100N60E-T1-GE3

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET E SERIES 600V POWERPAK 8X

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

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1-2 giorni

quantità disponibile

121330 Pieces

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Specifiche per SIHH100N60E-T1-GE3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SIHH100N60E-T1-GE3

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET E SERIES 600V POWERPAK 8X

Serie : E

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 28A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 13.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 53nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1850pF @ 100V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 174W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : PowerPAK® 8 x 8

Pacchetto / caso : 8-PowerTDFN

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

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Documenti per SIHH100N60E-T1-GE3

Schede tecniche : SIHH100N60E-T1-GE3.pdf

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