K4U8E3S4AD-GHCL - 8 Gb x32 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -40 ~ 105 °C 200FBGA Mass Production
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8 Gb x32 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -40 ~ 105 °C 200FBGA Mass Production
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Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per K4U8E3S4AD-GHCL
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
K4U8E3S4AD-GHCL
fabbricante :
Samsung Semiconductor
Descrizione :
8 Gb x32 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -40 ~ 105 °C 200FBGA Mass Production
Serie :
DDR3
Densità :
8 Gb
Org. :
x32
Velocità :
4266 Mbps
Voltaggio :
1.8 / 1.1 / 0.6 V
Temp. :
-40 ~ 105 °C
Pacchetto :
200FBGA
Stato prodotto :
Mass Production
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per K4U8E3S4AD-GHCL
Schede tecniche :
K4U8E3S4AD-GHCL.pdf
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