NTMS4N01R2G - MOSFET N-CH 20V 3.3A 8-SOIC

codice articolo del costruttore

NTMS4N01R2G

Numero parte interna

AX-NTMS4N01R2G

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N-CH 20V 3.3A 8-SOIC

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

69065 Pieces

Prezzo di riferimento

~~USD 0~~

Il nostro prezzo

- (Vi preghiamo di contattarci per un prezzo migliore: [email protected])

AX Semiconductor ha NTMS4N01R2G in magazzino per la vendita. Possiamo spedire entro 1-2 giorni. Vi preghiamo di contattarci per un prezzo migliore per NTMS4N01R2G. La nostra email: [email protected]

Opzioni di spedizione e tempi di spedizione:: DHL: 2-3 days.; FEDEX: 2-3 days.; UPS: 2-4 days.; TNT: 3-5 days.; EMS: 5-8 days.; Normal Post: 10-15 days.

Opzioni di pagamento:: Paypal (Credit Card); Bank Transfer (Wire Transfer); Western Union; MoneyGram

Specifiche per NTMS4N01R2G

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : NTMS4N01R2G

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET N-CH 20V 3.3A 8-SOIC

Serie : -

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 3.3A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 40 mOhm @ 4.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 16nC @ 4.5V

Vgs (massimo) : ±10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1200pF @ 10V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 770mW (Ta)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SOIC

Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : NTM , NTMS4

Documenti per NTMS4N01R2G

Schede tecniche : NTMS4N01R2G.pdf

Prodotti correlati per NTMS4N01R2G ON Semiconductor

Numero parte	Marca	Descrizione
VJ0603Q3R3CEAAO	Vishay Vitramon	CAP CER 3.3PF 50V C0G/NP0 0603.
WF095220WF50236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 12KV SCREW.
WI085444WN84236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 8400PF 18KV.
BZ114096WZ10248BK1	Vishay Beyschlag	CAP CER 1000PF 40KV.
TF170279BQ50236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 25KV R85.
PZ0140WL10136CB1	Vishay Beyschlag	CAP CER 100PF 16KV DISK.
CDR31BX332BKZPAB	Vishay Vitramon	CAP CER 3300PF 100V BX 0805.
WF095220WF50238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 12KV SCREW.
PE0200WJ12233BH1	Vishay Beyschlag	CAP CER 1200PF 14KV R42 DISK.
PZ0140WL10138CB1	Vishay Beyschlag	CAP CER 100PF 16KV DISK.
WF110250WJ50238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 14KV SCREW.
WZ135285WP50236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 20KV.
WI140266WJ10336BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 14KV SCREW.
GRM0335C1H5R9DD01D	Murata Electronics North America	CAP CER 5.9PF 50V NP0 0201.
WI140316WQ75236BJ3	Vishay Beyschlag	CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.
WF165336WQ75236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.
WI085260WJ47238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 4700PF 14KV SCREW.
WI106266WP40236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 4000PF 20KV SCREW.
CDR31BP100BJZRAB	Vishay Vitramon	CAP CER 10PF 100V BP 0805.
WF135285WP50233BJ2	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 20KV SCREW.