NTMS4N01R2G - MOSFET N-CH 20V 3.3A 8-SOIC
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-NTMS4N01R2G
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 20V 3.3A 8-SOIC
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
69065 Pieces
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Specifiche per NTMS4N01R2G
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
NTMS4N01R2G
fabbricante :
ON Semiconductor
Descrizione :
MOSFET N-CH 20V 3.3A 8-SOIC
Serie :
-
Stato parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
3.3A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
40 mOhm @ 4.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
16nC @ 4.5V
Vgs (massimo) :
±10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
1200pF @ 10V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
770mW (Ta)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
8-SOIC
Pacchetto / caso :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per NTMS4N01R2G
Schede tecniche :
NTMS4N01R2G.pdf
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