SPI12N50C3HKSA1 - MOSFET N-CH 500V 11.6A TO-262

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fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 500V 11.6A TO-262
Stato RoHS
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Specifiche per SPI12N50C3HKSA1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : SPI12N50C3HKSA1
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : MOSFET N-CH 500V 11.6A TO-262
Serie : CoolMOS™
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 500V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 11.6A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 380 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 49nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1200pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 125W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore : PG-TO262-3-1
Pacchetto / caso : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : SPI12 , SPI12N5

Documenti per SPI12N50C3HKSA1

Schede tecniche : SPI12N50C3HKSA1.pdf

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