SI8445DB-T2-E1 - MOSFET P-CH 20V 9.8A MICROFOOT
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MOSFET P-CH 20V 9.8A MICROFOOT
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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66490 Pieces
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Specifiche per SI8445DB-T2-E1
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
SI8445DB-T2-E1
fabbricante :
Vishay Siliconix
Descrizione :
MOSFET P-CH 20V 9.8A MICROFOOT
Serie :
TrenchFET®
Stato parte :
Obsolete
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
9.8A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
84 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
850mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
16nC @ 5V
Vgs (massimo) :
±5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
700pF @ 10V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
1.8W (Ta), 11.4W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
4-Microfoot
Pacchetto / caso :
4-XFBGA, CSPBGA
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per SI8445DB-T2-E1
Schede tecniche :
SI8445DB-T2-E1.pdf
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