STH315N10F7-6 - MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
131335 Pieces
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Specifiche per STH315N10F7-6
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
STH315N10F7-6
fabbricante :
STMicroelectronics
Descrizione :
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
Serie :
Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VII
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
180A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.3 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
180nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
12800pF @ 25V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
315W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
H2PAK-6
Pacchetto / caso :
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per STH315N10F7-6
Schede tecniche :
STH315N10F7-6.pdf
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