IPA057N06N3GXKSA1 - MOSFET N-CH 60V 60A TO220-3-31

codice articolo del costruttore

IPA057N06N3GXKSA1

Numero parte interna

AX-IPA057N06N3GXKSA1

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 60V 60A TO220-3-31

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

209680 Pieces

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Specifiche per IPA057N06N3GXKSA1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IPA057N06N3GXKSA1

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 60V 60A TO220-3-31

Serie : OptiMOS™

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 60A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.7 mOhm @ 60A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 58µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 82nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 6600pF @ 30V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 38W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : PG-TO220-3-31 Full Pack

Pacchetto / caso : TO-220-3 Full Pack

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IPA05 , IPA057N0

Documenti per IPA057N06N3GXKSA1

Schede tecniche : IPA057N06N3GXKSA1.pdf

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