SI8902AEDB-T2-E1 - N-CHANNEL 24-V D-S MOSFET
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
N-CHANNEL 24-V D-S MOSFET
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
1391600 Pieces
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Specifiche per SI8902AEDB-T2-E1
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
SI8902AEDB-T2-E1
fabbricante :
Vishay Siliconix
Descrizione :
N-CHANNEL 24-V D-S MOSFET
Serie :
TrenchFET®
Stato parte :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET :
Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) :
24V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
28 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Potenza - Max :
5.7W
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
6-UFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore :
6-Micro Foot™ (1.5x1)
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per SI8902AEDB-T2-E1
Schede tecniche :
SI8902AEDB-T2-E1.pdf
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