FCP650N80Z - MOSFET N-CH 800V 10A

codice articolo del costruttore

FCP650N80Z

Numero parte interna

AX-FCP650N80Z

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N-CH 800V 10A

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

145215 Pieces

Prezzo di riferimento

~~USD 1.932~~

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Specifiche per FCP650N80Z

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : FCP650N80Z

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET N-CH 800V 10A

Serie : SuperFET® II

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 800V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 10A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 650 mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 800µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 35nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1565pF @ 100V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 162W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-220

Pacchetto / caso : TO-220-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : FCP , FCP65

Documenti per FCP650N80Z

Schede tecniche : FCP650N80Z.pdf

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