IRF6892STR1PBF - MOSFET N-CH 25V 28A S3

codice articolo del costruttore

IRF6892STR1PBF

Numero parte interna

AX-IRF6892STR1PBF

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 25V 28A S3

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

19680 Pieces

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Specifiche per IRF6892STR1PBF

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IRF6892STR1PBF

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 25V 28A S3

Serie : HEXFET®

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 28A (Ta), 125A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.7 mOhm @ 28A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 50µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 4.5V

Vgs (massimo) : ±16V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2510pF @ 13V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 2.1W (Ta), 42W (Tc)

temperatura di esercizio : -40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : DIRECTFET™ S3C

Pacchetto / caso : DirectFET™ Isometric S3C

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IRF6 , IRF6892

Documenti per IRF6892STR1PBF

Schede tecniche : IRF6892STR1PBF.pdf

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