RP1E100RPTR - MOSFET P-CH 30V 10A MPT6

codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET P-CH 30V 10A MPT6
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per RP1E100RPTR

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : RP1E100RPTR
fabbricante : Rohm Semiconductor
Descrizione : MOSFET P-CH 30V 10A MPT6
Serie : -
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 10A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12.6 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 39nC @ 5V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 3600pF @ 10V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 2W (Ta)
temperatura di esercizio : 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : MPT6
Pacchetto / caso : 6-SMD, Flat Leads
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : RP1 , RP1E1

Documenti per RP1E100RPTR

Schede tecniche : RP1E100RPTR.pdf

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