IRF6718L2TRPBF - MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET L6

codice articolo del costruttore

IRF6718L2TRPBF

Numero parte interna

AX-IRF6718L2TRPBF

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET L6

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

242130 Pieces

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Specifiche per IRF6718L2TRPBF

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IRF6718L2TRPBF

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET L6

Serie : HEXFET®

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 61A (Ta), 270A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 0.7 mOhm @ 61A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.35V @ 150µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 96nC @ 4.5V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 6500pF @ 13V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 4.3W (Ta), 83W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : DIRECTFET L6

Pacchetto / caso : DirectFET™ Isometric L6

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IRF6 , IRF6718

Documenti per IRF6718L2TRPBF

Schede tecniche : IRF6718L2TRPBF.pdf

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