IXTX200N10L2 - MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247

codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per IXTX200N10L2

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : IXTX200N10L2
fabbricante : IXYS
Descrizione : MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247
Serie : Linear L2™
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 200A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 3mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 540nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 23000pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 1040W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore : PLUS247™-3
Pacchetto / caso : TO-247-3
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : IXTX , IXTX20

Documenti per IXTX200N10L2

Schede tecniche : IXTX200N10L2.pdf

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