IRF8915 - MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC

codice articolo del costruttore

IRF8915

Numero parte interna

AX-IRF8915

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

26271 Pieces

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Specifiche per IRF8915

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IRF8915

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC

Serie : HEXFET®

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 8.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18.3 mOhm @ 8.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 7.4nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 540pF @ 10V

Potenza - Max : 2W

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SO

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

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Documenti per IRF8915

Schede tecniche : IRF8915.pdf

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