BUK7C3R1-80EJ - MOSFET N-CH 80V 200A D2PAK-7

codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 80V 200A D2PAK-7
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per BUK7C3R1-80EJ

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : BUK7C3R1-80EJ
fabbricante : NXP USA Inc.
Descrizione : MOSFET N-CH 80V 200A D2PAK-7
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 80V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : -
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (massimo) : -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : -
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : -
temperatura di esercizio : -
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : D2PAK-7
Pacchetto / caso : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : BUK7 , BUK7C3

Documenti per BUK7C3R1-80EJ

Schede tecniche : BUK7C3R1-80EJ.pdf

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