BSR316PL6327HTSA1 - MOSFET P-CH 100V 0.36A SC-59

codice articolo del costruttore

BSR316PL6327HTSA1

Numero parte interna

AX-BSR316PL6327HTSA1

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET P-CH 100V 0.36A SC-59

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

8096 Pieces

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Specifiche per BSR316PL6327HTSA1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : BSR316PL6327HTSA1

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET P-CH 100V 0.36A SC-59

Serie : SIPMOS®

Stato parte : Discontinued at Digi-Key

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 360mA (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.8 Ohm @ 360mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 170µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 7nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 165pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 500mW (Ta)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : PG-SC-59

Pacchetto / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : BSR31 , BSR316PL

Documenti per BSR316PL6327HTSA1

Schede tecniche : BSR316PL6327HTSA1.pdf

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