IRF7311TR - MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC

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MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC
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Specifiche per IRF7311TR

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : IRF7311TR
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC
Serie : HEXFET®
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET : Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 6.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 29 mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 700mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 27nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 900pF @ 15V
Potenza - Max : 2W
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SO
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : IRF , IRF7

Documenti per IRF7311TR

Schede tecniche : IRF7311TR.pdf

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