SQ3985EV-T1_GE3 - MOSFET 2 P-CH 20V 3.9A 6TSOP

codice articolo del costruttore

SQ3985EV-T1_GE3

Numero parte interna

AX-SQ3985EV-T1_GE3

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET 2 P-CH 20V 3.9A 6TSOP

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

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1-2 giorni

quantità disponibile

1724210 Pieces

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Specifiche per SQ3985EV-T1_GE3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SQ3985EV-T1_GE3

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET 2 P-CH 20V 3.9A 6TSOP

Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 P-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Standard

Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 3.9A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 145 mOhm @ 2.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 4.6nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 350pF @ 10V

Potenza - Max : 3W

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore : 6-TSOP

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

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Documenti per SQ3985EV-T1_GE3

Schede tecniche : SQ3985EV-T1_GE3.pdf

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