EDB5432BEBH-1DAUT-F-R TR - IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

codice articolo del costruttore

EDB5432BEBH-1DAUT-F-R TR

Numero parte interna

AX-EDB5432BEBH-1DAUT-F-R TR

fabbricante

Micron Technology Inc.

Breve descrizione

IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

70290 Pieces

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Specifiche per EDB5432BEBH-1DAUT-F-R TR

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : EDB5432BEBH-1DAUT-F-R TR

fabbricante : Micron Technology Inc.

Descrizione : IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo di memoria : Volatile

Formato di memoria : DRAM

Tecnologia : SDRAM - Mobile LPDDR2

Dimensione della memoria : 512Mb (16M x 32)

Frequenza di clock : 533MHz

Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina : -

Tempo di accesso : -

Interfaccia di memoria : Parallel

Tensione - Fornitura : 1.14V ~ 1.95V

temperatura di esercizio : -40°C ~ 125°C (TC)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 134-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore : 134-VFBGA (10x11.5)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : EDB5432B , EDB5432BEBH-

Documenti per EDB5432BEBH-1DAUT-F-R TR

Schede tecniche : EDB5432BEBH-1DAUT-F-R TR.pdf

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04026W105KAT2A	AVX Corporation	CAP CER 1UF 6.3V X6S 0402. Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 16V 2.2uF 0805 5% X7R
WI106266WP40236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 4000PF 20KV SCREW.
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WI106266WP40236BJ2	Vishay Beyschlag	CAP CER 4000PF 20KV SCREW.
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