FDME910PZT - MOSFET P CH 20V 8A MICROFET

codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET P CH 20V 8A MICROFET
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
1574430 Pieces
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Specifiche per FDME910PZT

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : FDME910PZT
fabbricante : ON Semiconductor
Descrizione : MOSFET P CH 20V 8A MICROFET
Serie : PowerTrench®
Stato parte : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 8A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 24 mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 21nC @ 4.5V
Vgs (massimo) : ±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2110pF @ 10V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 2.1W (Ta)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : MicroFet 1.6x1.6 Thin
Pacchetto / caso : 6-PowerUFDFN
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : FDM , FDME9

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Schede tecniche : FDME910PZT.pdf

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