HUF76619D3ST - MOSFET N-CH 100V 18A DPAK
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-HUF76619D3ST
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 100V 18A DPAK
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
70380 Pieces
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Specifiche per HUF76619D3ST
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
HUF76619D3ST
fabbricante :
ON Semiconductor
Descrizione :
MOSFET N-CH 100V 18A DPAK
Serie :
UltraFET™
Stato parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
18A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
85 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
29nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±16V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
767pF @ 25V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
75W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
TO-252AA
Pacchetto / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per HUF76619D3ST
Schede tecniche :
HUF76619D3ST.pdf
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