TSM250N02DCQ RFG - MOSFET 2 N-CH 20V 5.8A 6TDFN

codice articolo del costruttore
Numero parte interna
Breve descrizione
MOSFET 2 N-CH 20V 5.8A 6TDFN
Stato RoHS
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Specifiche per TSM250N02DCQ RFG

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : TSM250N02DCQ RFG
fabbricante : Taiwan Semiconductor Corporation
Descrizione : MOSFET 2 N-CH 20V 5.8A 6TDFN
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET : Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 800mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 7.7nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 775pF @ 10V
Potenza - Max : 620mW
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 6-VDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore : 6-TDFN (2x2)
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : TSM25 , TSM250N0

Documenti per TSM250N02DCQ RFG

Schede tecniche : TSM250N02DCQ RFG.pdf

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