NVMFS5C682NLAFT3G - MOSFET N-CH 60V 8.8A 25A 5DFN
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Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 60V 8.8A 25A 5DFN
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
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2295790 Pieces
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Specifiche per NVMFS5C682NLAFT3G
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
NVMFS5C682NLAFT3G
fabbricante :
ON Semiconductor
Descrizione :
MOSFET N-CH 60V 8.8A 25A 5DFN
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Stato parte :
Not For New Designs
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
8.8A (Ta), 25A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
21 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 16µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
5nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
410pF @ 25V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
3.5W (Ta), 28W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pacchetto / caso :
8-PowerTDFN, 5 Leads
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per NVMFS5C682NLAFT3G
Schede tecniche :
NVMFS5C682NLAFT3G.pdf
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