FDD86110 - MOSFET N-CH 100V 12.5A DPAK-3

codice articolo del costruttore

FDD86110

Numero parte interna

AX-FDD86110

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N-CH 100V 12.5A DPAK-3

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

406165 Pieces

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Specifiche per FDD86110

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : FDD86110

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET N-CH 100V 12.5A DPAK-3

Serie : PowerTrench®

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 12.5A (Ta), 50A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10.2 mOhm @ 12.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 35nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2265pF @ 50V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 3.1W (Ta), 127W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : D-PAK (TO-252)

Pacchetto / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

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Documenti per FDD86110

Schede tecniche : FDD86110.pdf

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