IPW65R110CFDAFKSA1 - MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247

codice articolo del costruttore

IPW65R110CFDAFKSA1

Numero parte interna

AX-IPW65R110CFDAFKSA1

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

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1-2 giorni

quantità disponibile

52895 Pieces

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Specifiche per IPW65R110CFDAFKSA1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IPW65R110CFDAFKSA1

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247

Serie : Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 31.2A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 110 mOhm @ 12.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 1.3mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 118nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 3240pF @ 100V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 277.8W (Tc)

temperatura di esercizio : -40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : PG-TO247-3

Pacchetto / caso : TO-247-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IPW65R , IPW65R110

Documenti per IPW65R110CFDAFKSA1

Schede tecniche : IPW65R110CFDAFKSA1.pdf

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