IPD122N10N3GBTMA1 - MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
15744 Pieces
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Specifiche per IPD122N10N3GBTMA1
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : IPD122N10N3GBTMA1
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3
Serie : OptiMOS™
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 59A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12.2 mOhm @ 46A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 46µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 35nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2500pF @ 50V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 94W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : PG-TO252-3
Pacchetto / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per IPD122N10N3GBTMA1
Schede tecniche : IPD122N10N3GBTMA1.pdf
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