NDD02N60Z-1G - MOSFET N-CH 600V IPAK
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-NDD02N60Z-1G
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 600V IPAK
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
9688 Pieces
Prezzo di riferimento
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Specifiche per NDD02N60Z-1G
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
NDD02N60Z-1G
fabbricante :
ON Semiconductor
Descrizione :
MOSFET N-CH 600V IPAK
Serie :
-
Stato parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
2.2A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.8 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
10.1nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
274pF @ 25V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
57W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore :
I-PAK
Pacchetto / caso :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per NDD02N60Z-1G
Schede tecniche :
NDD02N60Z-1G.pdf
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