BSC097N06NSTATMA1 - DIFFERENTIATED MOSFETS

codice articolo del costruttore

BSC097N06NSTATMA1

Numero parte interna

AX-BSC097N06NSTATMA1

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

DIFFERENTIATED MOSFETS

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1193935 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per BSC097N06NSTATMA1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : BSC097N06NSTATMA1

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : DIFFERENTIATED MOSFETS

Serie : OptiMOS™

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 13A (Ta), 48A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.7 mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.3V @ 14µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1075pF @ 30V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 3W (Ta), 43W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : PG-TDSON-8

Pacchetto / caso : 8-PowerTDFN

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : BSC09 , BSC097N0

Documenti per BSC097N06NSTATMA1

Schede tecniche : BSC097N06NSTATMA1.pdf

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