BSC079N10NSGATMA1 - MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8
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fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
396935 Pieces
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Specifiche per BSC079N10NSGATMA1
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : BSC079N10NSGATMA1
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8
Serie : OptiMOS™
Stato parte : Not For New Designs
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 13.4A (Ta), 100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.9 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 110µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 87nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 5900pF @ 50V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 156W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : PG-TDSON-8
Pacchetto / caso : 8-PowerTDFN
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per BSC079N10NSGATMA1
Schede tecniche : BSC079N10NSGATMA1.pdf
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