S12MCHM6G - DIODE GEN PURP 12A DO214AB

codice articolo del costruttore
Numero parte interna
Breve descrizione
DIODE GEN PURP 12A DO214AB
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per S12MCHM6G

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : S12MCHM6G
fabbricante : Taiwan Semiconductor Corporation
Descrizione : DIODE GEN PURP 12A DO214AB
Serie : Automotive, AEC-Q101
Stato parte : Active
Diodo : Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : -
Corrente: media rettificata (Io) : 12A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 12A
Velocità : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) : -
Corrente - Perdita inversa @ Vr : 1µA @ 1000V
Capacità @ Vr, F : 78pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : DO-214AB, SMC
Pacchetto dispositivo fornitore : DO-214AB (SMC)
Temperatura operativa - Giunzione : -55°C ~ 150°C
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : S12 , S12M

Documenti per S12MCHM6G

Schede tecniche : S12MCHM6G.pdf

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