IPS12CN10LGBKMA1 - MOSFET N-CH 100V 69A TO251-3-11

codice articolo del costruttore

IPS12CN10LGBKMA1

Numero parte interna

AX-IPS12CN10LGBKMA1

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 100V 69A TO251-3-11

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

8616 Pieces

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Specifiche per IPS12CN10LGBKMA1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IPS12CN10LGBKMA1

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 100V 69A TO251-3-11

Serie : OptiMOS™

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 69A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11.8 mOhm @ 69A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 83µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 58nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 5600pF @ 50V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 125W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : PG-TO251-3

Pacchetto / caso : TO-251-3 Stub Leads, IPak

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IPS12 , IPS12CN1

Documenti per IPS12CN10LGBKMA1

Schede tecniche : IPS12CN10LGBKMA1.pdf

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12065C223KHT1A	AVX Corporation	CAP CER 0.022UF 50V X7R 1206.
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