ESH3B M6G - DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-ESH3B M6G
fabbricante
Breve descrizione
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
4190020 Pieces
Prezzo di riferimento
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Specifiche per ESH3B M6G
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
ESH3B M6G
fabbricante :
Taiwan Semiconductor Corporation
Descrizione :
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
Serie :
-
Stato parte :
Not For New Designs
Diodo :
Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) :
100V
Corrente: media rettificata (Io) :
3A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
900mV @ 3A
Velocità :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) :
20ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr :
5µA @ 100V
Capacità @ Vr, F :
45pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
DO-214AB, SMC
Pacchetto dispositivo fornitore :
DO-214AB (SMC)
Temperatura operativa - Giunzione :
-55°C ~ 175°C
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per ESH3B M6G
Schede tecniche :
ESH3B M6G.pdf
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