SIHB12N60ET1-GE3 - MOSFET N-CH 600V 12A TO263

codice articolo del costruttore

SIHB12N60ET1-GE3

Numero parte interna

AX-SIHB12N60ET1-GE3

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET N-CH 600V 12A TO263

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

198975 Pieces

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Specifiche per SIHB12N60ET1-GE3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SIHB12N60ET1-GE3

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET N-CH 600V 12A TO263

Serie : E

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 12A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 380 mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 58nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 937pF @ 100V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 147W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-263 (D²Pak)

Pacchetto / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SIHB1 , SIHB12N6

Documenti per SIHB12N60ET1-GE3

Schede tecniche : SIHB12N60ET1-GE3.pdf

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