AUIRF7341QTR - MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-AUIRF7341QTR
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
525240 Pieces
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Specifiche per AUIRF7341QTR
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
AUIRF7341QTR
fabbricante :
Infineon Technologies
Descrizione :
MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC
Serie :
Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
Stato parte :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET :
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) :
55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
5.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
50 mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
44nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
780pF @ 25V
Potenza - Max :
2.4W
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore :
8-SO
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per AUIRF7341QTR
Schede tecniche :
AUIRF7341QTR.pdf
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