IS61DDB21M18A-300M3L - IC SRAM 18M PARALLEL 165LFBGA
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
IC SRAM 18M PARALLEL 165LFBGA
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
24143 Pieces
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Specifiche per IS61DDB21M18A-300M3L
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : IS61DDB21M18A-300M3L
fabbricante : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Descrizione : IC SRAM 18M PARALLEL 165LFBGA
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo di memoria : Volatile
Formato di memoria : SRAM
Tecnologia : SRAM - Synchronous, DDR II
Dimensione della memoria : 18Mb (1M x 18)
Frequenza di clock : 300MHz
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina : -
Tempo di accesso : -
Interfaccia di memoria : Parallel
Tensione - Fornitura : 1.71V ~ 1.89V
temperatura di esercizio : 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 165-LBGA
Pacchetto dispositivo fornitore : 165-LFBGA (13x15)
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : IS61DD , IS61DDB21M
Documenti per IS61DDB21M18A-300M3L
Schede tecniche : IS61DDB21M18A-300M3L.pdf
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