SIR410DP-T1-GE3 - MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
979480 Pieces
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Specifiche per SIR410DP-T1-GE3
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
SIR410DP-T1-GE3
fabbricante :
Vishay Siliconix
Descrizione :
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
Serie :
TrenchFET®
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
35A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
41nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
1600pF @ 10V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
4.2W (Ta), 36W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
PowerPAK® SO-8
Pacchetto / caso :
PowerPAK® SO-8
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per SIR410DP-T1-GE3
Schede tecniche :
SIR410DP-T1-GE3.pdf
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