IPG20N06S2L50ATMA1 - MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4

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fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per IPG20N06S2L50ATMA1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : IPG20N06S2L50ATMA1
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4
Serie : OptiMOS™
Stato parte : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET : Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) : 55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 50 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 19µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 560pF @ 25V
Potenza - Max : 51W
temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 8-PowerVDFN
Pacchetto dispositivo fornitore : PG-TDSON-8-4
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : IPG20N , IPG20N06S

Documenti per IPG20N06S2L50ATMA1

Schede tecniche : IPG20N06S2L50ATMA1.pdf

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