QJD1210010 - MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-QJD1210010
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
28497 Pieces
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Specifiche per QJD1210010
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
QJD1210010
fabbricante :
Powerex Inc.
Descrizione :
MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
Serie :
-
Stato parte :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET :
Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
1200V (1.2kV)
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
25 mOhm @ 100A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
500nC @ 20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
10200pF @ 800V
Potenza - Max :
1080W
temperatura di esercizio :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Chassis Mount
Pacchetto / caso :
Module
Pacchetto dispositivo fornitore :
Module
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per QJD1210010
Schede tecniche :
QJD1210010.pdf
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