SQ2361ES-T1_GE3 - MOSFET P-CH 60V 2.5A SSOT23

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fabbricante
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MOSFET P-CH 60V 2.5A SSOT23
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per SQ2361ES-T1_GE3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : SQ2361ES-T1_GE3
fabbricante : Vishay Siliconix
Descrizione : MOSFET P-CH 60V 2.5A SSOT23
Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Stato parte : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 2.8A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 177 mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 550pF @ 30V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 2W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : -
Pacchetto / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : SQ236 , SQ2361E

Documenti per SQ2361ES-T1_GE3

Schede tecniche : SQ2361ES-T1_GE3.pdf

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