NVMFS5113PLT1G - MOSFET P-CH 60V 64A SO8FL

codice articolo del costruttore

NVMFS5113PLT1G

Numero parte interna

AX-NVMFS5113PLT1G

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET P-CH 60V 64A SO8FL

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

420070 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per NVMFS5113PLT1G

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : NVMFS5113PLT1G

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET P-CH 60V 64A SO8FL

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 10A (Ta), 64A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14 mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 83nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 4400pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 3.8W (Ta), 150W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Pacchetto / caso : 8-PowerTDFN

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : NVMF , NVMFS51

Documenti per NVMFS5113PLT1G

Schede tecniche : NVMFS5113PLT1G.pdf

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