SI2333CDS-T1-E3 - MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
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MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per SI2333CDS-T1-E3
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : SI2333CDS-T1-E3
fabbricante : Vishay Siliconix
Descrizione : MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
Serie : TrenchFET®
Stato parte : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 7.1A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 35 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 4.5V
Vgs (massimo) : ±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1225pF @ 6V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : SOT-23-3 (TO-236)
Pacchetto / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per SI2333CDS-T1-E3
Schede tecniche : SI2333CDS-T1-E3.pdf
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