FQPF2N80YDTU - MOSFET N-CH 800V TO-220-3

codice articolo del costruttore
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fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 800V TO-220-3
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per FQPF2N80YDTU

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : FQPF2N80YDTU
fabbricante : ON Semiconductor
Descrizione : MOSFET N-CH 800V TO-220-3
Serie : QFET®
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 1.5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.3 Ohm @ 750mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 550pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 35W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore : TO-220F-3 (Y-Forming)
Pacchetto / caso : TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : FQPF , FQPF2N

Documenti per FQPF2N80YDTU

Schede tecniche : FQPF2N80YDTU.pdf

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