IXFN100N10S1 - MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B

codice articolo del costruttore

IXFN100N10S1

Numero parte interna

AX-IXFN100N10S1

fabbricante

IXYS

Breve descrizione

MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

8912 Pieces

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Specifiche per IXFN100N10S1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IXFN100N10S1

fabbricante : IXYS

Descrizione : MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B

Serie : HiPerFET™

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 100A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 15 mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 180nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 4500pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 360W (Tc)

temperatura di esercizio : -40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Chassis Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : SOT-227B

Pacchetto / caso : SOT-227-4, miniBLOC

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IXFN , IXFN10

Documenti per IXFN100N10S1

Schede tecniche : IXFN100N10S1.pdf

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