IPB60R120C7ATMA1 - MOSFET N-CH 650V 19A TO263-3

codice articolo del costruttore

IPB60R120C7ATMA1

Numero parte interna

AX-IPB60R120C7ATMA1

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 650V 19A TO263-3

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

195505 Pieces

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Specifiche per IPB60R120C7ATMA1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IPB60R120C7ATMA1

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 650V 19A TO263-3

Serie : CoolMOS™ C7

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 19A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 120 mOhm @ 7.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 390µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 34nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1500pF @ 400V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 92W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : PG-TO263-3

Pacchetto / caso : TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IPB60 , IPB60R12

Documenti per IPB60R120C7ATMA1

Schede tecniche : IPB60R120C7ATMA1.pdf

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